余志强，男，汉族，1982年7月生，湖北黄冈人，中共党员，博士，副教授，硕士生导师，教育部学位与研究生教育评估监测专家，中国知网(CNKI)评审专家库专家，“广西高等学校千名中青年骨干教师培育计划”入选者，柳州市高层次专业人才，柳州市大数据发展战略专家，广西科技大学“3331高层次人才计划”优秀青年学者，国际SCI权威期刊IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters，ACS Applied Nano Materials，Journal of Alloys and Compounds，Ceramics International，Applied Surface Science，Surfaces and Interfaces，Journal of Physics and Chemistry of Solids审稿专家，研究领域为先进存储器、柔性电子器件、神经形态器件及类脑芯片技术。

近年来，本人主持或作为主要参与者承担和完成国家级科研项目2项、省部级科研项目11项、省部级人才计划项目1项、地厅级科研项目7项、校级人才计划项目1项，累计主持科研经费130余万元。申请国家发明专利14项，已授权7项，待授权7项。在国内外权威期刊公开发表研究论文60余篇，其中SCI收录论文41篇，EI收录论文54篇。指导学生完成国家级大学生创新创业项目1项，省部级研究生创新项目1项，荣获中国研究生电子设计竞赛国家级三等奖1项，省部级一等奖1项、二等奖1项、三等奖2项。

目前，研究兴趣主要包括以下几个方面：

[1] 非易失性忆阻器的设计、改性及其集成应用技术(下一代信息存储方向)

[2] 光电功能材料的第一性原理分析与应用技术(光电能量存储方向)

[3] 混沌控制及其应用技术(人工智能方向)

联系电话: 17362302808

电子邮箱: zhiqiangyu@alumni.hust.edu.cn

教育背景

2013.9-2017.9    华中科技大学   微电子学与固体电子学   工学博士

2007.9-2010.6    贵州大学       微电子学与固体电子学   工学硕士

2003.9-2007.6    湖北民族大学   电子信息科学与技术     工学学士

工作经历

2026.1-至今     Beat365中文官方网站  计算机与信息技术学院  校聘教授、硕士生导师

2018.8-2015.12   广西科技大学   电子工程学院   副教授、硕士生导师

2010.7-2018.7    湖北民族大学   信息工程学院   助教、讲师

代表性学术成果

（一）科研项目：

[1] 广西科技厅科技计划项目：高密度、低功耗TiO₂忆阻器的制备及其关键技术研究，批准号：桂科AD19110038，2019.6~2022.5，24万元，主持。

[2] 广西精密导航技术与应用重点实验室开放基金项目：低成本、高密度TiO₂忆阻器的制备及研究，批准号：DH202010，2020.1~2021.12，3万元，主持。

[3] 广西教育厅科研项目：TiO₂忆阻器的制备及阻变存储机制研究，批准号：2019KY0392，2019.4~2021.3，3万元，主持。

[4] 湖北省教育厅科研计划项目：TiO₂纳米线忆阻器的制备及其阻变开关特性研究，批准号：B2018087，2018.1~2023.6，2万元，主持。

[5] 湖北省教育厅科研计划项目：环境友好半导体薄膜Mg₂Si的制备及其热电器件研究，批准号：B20122903，2012.1~2014.12，2万元，主持。

[6] 广西科技大学“3331高层次人才计划”优秀青年学者基金项目：氧化物忆阻器的制备及其性能研究，批准号：校科博19Z07，2019.2~2024.2，100万元，主持。

[7] 国家自然科学基金项目：基于主客体超分子催化剂的复合光阳极构建及其光电催化水氧化性能的研究，批准号：22269002，2023.1~2026.12，33万元，参与。

[8] 国家自然科学基金项目：ZnO基稀磁半导体异质结电阻变换、磁性及其耦合研究，批准号：11364018，2014.1~2017.12，52万元，参与。

（二）主要代表性论文：

[1] Zhiqiang Yu, Tangyou Sun*, Baosheng Liu, Liang Zhang, Huajin Chen, Xiangsuo Fan*, Zijun Sun*. Self-rectifying and forming-free nonvolatile memory behavior in single-crystal TiO₂ nanowire memory device. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 858: 157749. (SCI大类二区，小类一区，JCR Q1，国际Top期刊)

[2] Tangyou Sun, Yun Liu, Jie Tu, Zhiping Zhou, Le Cao, Xingpeng Liu, Haiou Li*, Qi Li, Tao Fu, Fabi Zhang, Zhiqiang Yu*. Wafer-scale high anti-reflective nano/micro hybrid interface structures via aluminum grain dependent self-organization. Materials & Design, 2020, 194: 108960. (SCI大类一区，JCR Q1，国际Top期刊，通讯作者)

[3] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. A facile hydrothermal synthesis and memristive switching performance of rutile TiO₂ nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 37~43. (SCI大类二区，小类一区，JCR Q1，国际Top期刊)

[4] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and memristive switching behaviors of single-crystalline anatase TiO₂ nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 294~300. (SCI大类二区，小类一区，JCR Q1，国际Top期刊)

[5] Zijun Sun*, Guisong Fang, Jinglin Li, Jiahuan Mo, Xiong He, Xu Wang*, Zhiqiang Yu*. Preparation of (Ti, Zr) co-doped hematite photoanode for enhanced photoelectrochemical water splitting. Chemical Physics Letters, 2020, 754: 137736. (SCI大类三区，JCR Q1，通讯作者)

[6] Zhiqiang Yu*, Xinwei Zhao, Baosheng Liu, Tangyou Sun, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and nonvolatile resistive switching properties of the α-Fe₂O₃ nanosheet arrays. Chinese Physics B, 2026, 35(1): 017302. (SCI大类三区，JCR Q2)

[7] Zhiqiang Yu*, Jinhao Jia, Meilian Ou, Tangyou Sun*, Zhimou Xu. Sol-gel synthesis and nonvolatile resistive switching behaviors of the wurtzite phase ZnO nanofilms. Chinese Physics B, 2025, 34(12): 127302. (SCI大类三区，JCR Q2)

[8] 余志强*, 徐佳敏, 韩旭, 陈诚, 曲信儒, 唐锦, 孙子君, 徐智谋. 金红石TiO₂纳米线忆阻器的制备及阻变存储机制. 材料导报, 2024, 38(13): 23020160. (EI核心收录，T2期刊)

[9] Zijun Sun, Chengwen Xu, Zhen Li, Fei Guo, Baosheng Liu, Jinghua Liu, Jin Zhou, Zhiqiang Yu*, Xiong He*, Daochuan Jiang*. Construction of organic-inorganic hybrid photoanodes with metal phthalocyanine complexes to improve photoelectrochemical water splitting performance. New Journal of Chemistry, 2022, 46(19): 9111~9118. (SCI大类三区，JCR Q2，通讯作者)

[10] Zijun Sun*, Xiong He, Jinghua Liu, Baosheng Liu, Hongda Li, Xiaobo Jia, Zhiqiang Yu*, Haixin Chang*. Enhanced photoelectrochemical performance of hematite photoanode by decorating NiCoP nanoparticles through a facile spin coating method. Catalysis Letters, 2021, 151: 3135~3144. (SCI大类三区，JCR Q3，通讯作者)

[11] 余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华*. 基于Au/TiO₂/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究. 物理学报, 2018, 67(15): 157302. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

[12] 余志强, 张昌华*, 李时东*, 廖红华. 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响. 无机材料学报, 2015, 30(3): 233~239. (SCI大类三区，JCR Q2，T1期刊)

[13] Zhiqiang Yu, Zhimou Xu*, Xinghui Wu. Electronic structure and optical properties of Mg_xZn_1-xS bulk crystal using first-principles calculations. Chinese Physics B, 2014, 23(10): 107102. (SCI大类三区，JCR Q2)

[14] 余志强, 张昌华*, 郎建勋. P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究. 物理学报, 2014, 63(6): 067102. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

[15] 张昌华, 余志强*, 廖红华. Te掺杂单层MoS₂的电子结构与光电性质. 发光学报, 2014, 35(7): 785~790. (EI核心收录，T2期刊，通讯作者)

[16] 余志强*. 硅基外延OsSi₂电子结构及光电特性研究. 物理学报, 2012, 61(21): 217102. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

[17] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响. 物理学报, 2010, 59(2): 925~931. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

[18] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析. 光谱学与光谱分析, 2010, 30(4): 1136~1140. (SCI大类三区，JCR Q4，T2期刊)

[19] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. Mg₂Si晶体结构及消光特性的研究. 物理学报, 2009, 58(10): 6889~6893. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

[20] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析. 物理学报, 2009, 58(8): 5318~5322. (SCI大类三区，JCR Q3，T2期刊)

（三）已授权发明专利情况：

[1] 余志强，陈诚，徐佳敏，曲信儒，韩旭，镇丹，刘宝生，孙子君，张喨，欧梅莲. 非易失性FeOOH/TiO₂异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210263712.7

[2] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，高廷红，肖清泉，陈茜，刘宝生，徐佳敏，韩旭，曲信儒. 一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，专利申请号: ZL 202210988070.7

[3] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，肖清泉，高廷红，陈茜，张喨，韩旭，徐佳敏，曲信儒. 一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210991849.4

[4] 唐跃龙，唐锦，黄绍芬，王洋，梁荣吉，廖丽珍，余志强，李如雪. 一种电子陶瓷封装用玻璃粉及其制备方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202311357956.2

[5] 刘宝生，张雨金，李峰，黄小琦，张绍辉，常海欣，余志强，孙子君，贾小波，王国富，刘静华，何雄，韩珊珊. 一种镍钴锰酸锂锂电池正极材料及其制备方法和应用. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210564562.3

[6] 张昌华，宋卫东，周红艳，邓初芬，余志强，谭心堃. 一种曳引式电梯防抱闸松动安全装置. 中国发明专利，专利授权号: ZL 201410637619.3

[7] 谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg₂Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 中国发明专利，专利授权号: ZL 201010147304.2

指导学生竞赛及创新科研项目情况

[1] 国家级大学生创新创业训练计划项目：关于非易失性α-Fe₂O₃纳米线忆阻器的设计及其阻变存储特性研究，批准号：202310594022，2023.6~2025.5，2万元，本科生李斯静。

[2] 广西研究生教育创新计划项目：α-Fe₂O₃纳米结构忆阻器的设计及其性能研究，批准号：YCSW2021135，2021.1~2022.12，1万元，研究生徐佳敏主持。

[3] 广西科技大学研究生创新项目：α-Fe₂O₃类神经突触纳米结构忆阻器的设计及其非易失性阻变存储特性研究，批准号：GKYC202408，2024.1~2025.12，1万元，研究生赵新为主持。

[4] 2024年8月，指导研究生贾金皓，黄炎光，简帅在“兆易创新杯”第十九届中国研究生电子设计竞赛中荣获商业计划书专项赛国家级三等奖1项。

[5] 2024年7月，指导研究生贾金皓，黄炎光，简帅在“兆易创新杯”第十九届中国研究生电子设计竞赛中荣获商业计划书专项赛省部级一等奖1项。

[6] 2025年7月，指导研究生高龙琦，赵新为，王浩腾在“兆易创新杯”第二十届中国研究生电子设计竞赛中荣获商业计划书专项赛省部级二等奖1项。

[7] 2025年7月，指导研究生赵新为，高龙琦，张一帆在“兆易创新杯”第二十届中国研究生电子设计竞赛中荣获技术类竞赛省部级三等奖1项。

[8] 2022年7月，指导研究生时康，沈启广，曲信儒在“兆易创新杯”第十七届中国研究生电子设计竞赛中荣获商业计划书专项赛省部级三等奖1项。

奖励荣誉

[1] 2021.7   “广西高等学校千名中青年骨干教师培育计划”入选者

[2] 2026.4   教育部学位与研究生教育评估监测专家

[3] 2025.9   中国知网(CNKI)评审专家库专家

[4] 2024.7   中国研究生电子设计竞赛优秀指导教师奖